半导体制造工艺对超纯水纯度要求极为苛刻,其水质直接影响芯片良品率。本文将详细介绍3吨/小时处理能力的半导体级超纯水设备核心技术原理,该系统需满足电阻率≥18.2MΩ·cm、TOC≤1ppb等严苛指标。
一、系统整体工艺流程
1. 预处理子系统
多介质梯度过滤
- 上层无烟煤(粒径0.8-1.2mm)拦截大颗粒
- 中层石英砂(粒径0.4-0.6mm)深层过滤
- 下层磁铁矿(粒径0.2-0.4mm)精细截留
- 出水浊度≤0.1NTU,SDI15≤3
活性炭吸附
- 采用椰壳活性炭(碘值≥1000mg/g)
- 有效去除余氯(≤0.01ppm)和有机物
- 配备巴氏消毒系统防止微生物滋生
软化处理
- 双罐浮动床软化器(交替再生)
- 出水硬度≤0.03mg/L(以CaCO3计)
- 再生周期根据硬度在线监测智能调节
2. 膜处理核心单元
一级反渗透
- 采用8英寸苦咸水膜元件(如DOW BW30-400)
- 工作压力10-15bar,脱盐率≥99%
- 配置段间增压泵提高回收率(75-80%)
二级反渗透
- 4英寸超低压膜元件(如TORAY TMG20D)
- 进水pH调节至8.0-8.5增强硼去除
- 配备膜清洗系统(CIP)维持性能
电去离子(EDI)
- 模块化设计(如IONPURE LX-Z)
- 工作电流10-100A可调,产水电阻率≥15MΩ·cm
- 集成极水回流装置提高电流效率
3. 精处理单元
混床离子交换
- 电子级阴阳树脂(如罗门哈斯UP6150/UPcore)
- 树脂层高≥1.2m,交换容量≥2.0eq/L
- 氮气保护装置防止树脂氧化
终端超滤
- 0.03μm中空纤维膜(如Pall Omega)
- 死端过滤+定时反冲洗模式
- 细菌截留率>6log
脱气膜
- 聚丙烯中空纤维组件
- 溶解氧≤5ppb
- 配套真空泵维持<5kPa工作压力
二、关键技术创新点
双重屏障设计
- 物理屏障:超滤+纳滤组合拦截颗粒物
- 化学屏障:RO+EDI双重脱盐保障
智能控制体系
- 多参数在线监测(电阻率、TOC、微粒等)
- 基于PLC的模糊PID控制算法
- 预测性维护系统(振动+温度监测)
能源回收技术
- 压力交换式能量回收装置(ERD)
- 浓水侧能量回收效率≥90%
系统综合能耗≤3.5kWh/m³
三、典型水质指标对比
| 参数 | 进水水质 | 产水标准 | 实现方法 | |------|---------|----------|----------| | 电阻率 | 1000Ω·cm | 18.2MΩ·cm | EDI+混床 | | TOC | 500ppb | ≤1ppb | UV+RO组合 | | 微粒(>0.1μm) | 1000个/mL | ≤5个/mL | 终端超滤 | | 二氧化硅 | 10ppm | ≤0.1ppb | 热法除硅 | | 硼 | 0.5ppm | ≤0.05ppb | 高pH RO |
四、系统运行管理要点
微生物控制
- 周期性巴氏消毒(80℃/2h)
- 臭氧-紫外联合杀菌
- 全系统坡度设计防死水
材料兼容性
- 接触部件采用316L EP级不锈钢
- 密封材料选用EPDM或PTFE
- 管路焊接内表面Ra≤0.5μm
验证要求
- 安装确认(IQ)包含材料证书追溯
- 运行确认(OQ)需完成3个月稳定性测试
- 性能确认(PQ)符合SEMI F63标准



